|
| Общие характеристики |
| Тип памяти |
DDR3 |
| |
|
| Форм-фактор |
DIMM 240-контактный |
| |
|
| Тактовая частота |
2000 МГц |
| |
|
| Пропускная способность |
16000 Мб/с |
| |
|
| Объем |
2 модуля по 1 Гб |
| |
|
| Поддержка ECC |
нет |
| |
|
| Буферизованная (Registered) |
нет |
| |
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
| |
|
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) |
9 |
| |
|
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
9 |
| |
|
| Row Precharge Delay (tRP) |
9 |
| |
|
| Activate to Precharge Delay (tRAS) |
27 |
| |
|
| Дополнительно |
| Количество чипов каждого модуля |
8, односторонняя упаковка |
| |
|
| Напряжение питания |
2 В |
| |
|
| Радиатор |
есть |
| |
|
|