|
| Общие характеристики |
| Тип памяти |
DDR |
| |
|
| Форм-фактор |
SODIMM 200-контактный |
| |
|
| Тактовая частота |
400 МГц |
| |
|
| Пропускная способность |
3200 Мб/с |
| |
|
| Объем |
1 модуль 1 Гб |
| |
|
| Поддержка ECC |
нет |
| |
|
| Буферизованная (Registered) |
нет |
| |
|
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
| |
|
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) |
3 |
| |
|
| Дополнительно |
| Напряжение питания |
2.6 В |
| |
|
|